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Correlation between tunneling magnetoresistance and magnetization in dipolar coupled nanoparticle arrays

机译：隧道磁电阻与磁化强度的相关性   偶极耦合纳米粒子阵列

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The tunneling magnetoresistance (TMR) of a hexagonal array of dipolar coupledanisotropic magnetic nanoparticles is studied using a resistor network modeland a realistic micromagnetic configuration obtained by Monte Carlosimulations. Analysis of the field-dependent TMR and the correspondingmagnetization curve shows that dipolar interactions suppress the maximum TMReffect, increase or decrease the field-sensitivity depending on the directionof applied field and introduce strong dependence of the TMR on the direction ofthe applied magnetic field. For off-plane magnetic fields, maximum values inthe TMR signal are associated with the critical field for irreversible rotationof the magnetization. This behavior is more pronounced in strongly interactingsystems (magnetically soft), while for weakly interacting systems (magneticallyhard) the maximum of TMR (Hmax) occurs below the coercive field (Hc), incontrast to the situation for non-interacting nanoparticles or in-plane fields(Hmax=Hc). The relation of our simulations to recent TMR measurements inself-assembled Co nanoparticle arrays is discussed.
机译：利用电阻网络模型和蒙特卡洛模拟获得的实际微磁构型，研究了偶极耦合各向异性磁性纳米颗粒的六边形阵列的隧道磁阻（TMR）。对与磁场有关的TMR和相应的磁化曲线的分析表明，偶极相互作用会抑制最大TMReffect，根据施加磁场的方向增加或减小磁场灵敏度，并导致TMR对施加磁场方向的强烈依赖性。对于平面磁场，TMR信号中的最大值与磁化强度不可逆旋转的临界磁场相关。这种行为在强相互作用的系统（磁性软）中更为明显，而对于弱相互作用的系统（磁性硬），TMR（Hmax）的最大值出现在矫顽场（Hc）之下，这与非相互作用的纳米粒子或平面内的情形相反个字段（Hmax = Hc）。讨论了我们的模拟与最近TMR测量自组装的Co纳米粒子阵列之间的关系。

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